安世半导体碳化硅二极管知识点测试

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提取码：1234

五道题目完成作答后提交测试，即可获取成绩，得分60分以上即可参与抽奖 。
每人仅有一次提交机会，请先浏览所有参考资料，谨慎作答！

本活动仅限“安世半导体”公众号粉丝参与，非公众号粉丝将不予兑奖，还请持续关注！
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1.
相比肖特基类二极管，在反向偏压下，SiC二极管的反向漏电流和由此产生的功耗类似同等电压和电流级别的超快Si二极管，但由于SiC二极管不存在____恢复效应，因此动态损耗更低
反向电流
反向电荷
正向电流
正向压降
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2.
在相同的测试电路中，SiC二极管与硅器件相比，反向恢复损耗____。
高
低
不变
不一定
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3.
与硅(Si)相比，宽禁带半导体通常具有性能优势，包括：
漂移层更薄
电阻率更低
热导率更高
以上都对
*
4.
SiC二极管是_____肖特基金属半导体器件，其中只有多数载流子（即电子）才能传输电流，因此，当二极管正向偏压时，结耗尽层存储的电荷可忽略不计。相比之下，P-N结二极管是_____二极管，且会存储在反向偏压期间必须去除的电荷,这会增加功耗损失。
单极性；双极性
双极性；单极性
双极性；双极性
单极性；单极性
*
5.
Nexperia的MPS(合并PiN肖特基)结构优化了SiC 二极管的漏电流和抗浪涌特性。因此，在漏电流和漂移层厚度相同的情况下，MPS器件可在______的击穿电压下运行。
更高
更低
固定
不一定
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