安世半导体碳化硅二极管知识点测试

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提取码：1234

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1.
相对传统的硅基半导体器件，使用小尺寸芯片，SiC在电流和额定电压给定的情况下，器件的电容和电荷会更_____。以及SiC的更高电子饱和速度，比Si基器件的开关速度更_____和损耗更_____。
高；快；低
低；慢；低
低；快；低
低；慢；高
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2.
在相同测试电路中，Si二极管或者SiC二极管并联时，考虑温度因数时，______需要使用降额或补偿电路实现均流
SiC和Si二极管都
SiC二极管
Si二极管
SiC和Si二极管都不
*
3.
Nexperia的MPS(合并PiN肖特基)结构优化了SiC 二极管的漏电流和抗浪涌特性。因此，在漏电流和漂移层厚度相同的情况下，MPS器件可在______的击穿电压下运行。
更高
更低
固定
不一定
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4.
二极管关断电流和结温对二极管的反向恢复特性造成影响。而SiC二极管在这些参数变化的情况下表现出_____的行为。
非线性
恒定
正温度特性
负温度特性
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5.
Nexperia的"薄型SiC"技术将衬底厚度减少到原来的三分之一。因此SiC二极管的热阻___，浪涌电流能力_____，正向压降_____。
升高；升高；降低
升高；降低；升高
降低；升高；升高
降低；升高；降低
*
6.
Nexperia的650V二极管的具有出色的品质因数（Qc X Vf），其开关性能几乎不受___和____变化的影响。
电流；开关速度
电流；温度
温度；开关速度
温度；电压
*
7.
Nexperia推出的的SiC二极管可应对高电压和高电流应用带来的挑战，满足高效率低损耗的要求。因此，SiC二极管可以应用于_____
AC/DC和DC/DC转换器
不间断电源
光伏逆变器
以上都是
*
8.
当二极管做开关整流器时，Si二极管的导致的电磁兼容性(EMI)问题与______有关；而SiC二极管因为具有____性能可以显著降低EMI
反向恢复电流尖峰；软开关
反向恢复时间；软开关
反向恢复时间；硬开关
反向恢复电流尖峰；硬开关
*
9.
相比肖特基类二极管，在反向偏压下，SiC二极管的反向漏电流和由此产生的功耗类似同等电压和电流级别的超快Si二极管，但由于SiC二极管不存在____恢复效应，因此动态损耗更低
反向电流
反向电荷
正向电流
正向压降
*
10.
较之于传统半导体（如硅），宽禁带半导体材料的能隙更大。在相同额定电压下，SiC的介电击穿场强比硅基器件高出____倍，且芯片尺寸也比额定电压类似的其他产品更小。
2
5
10
1
*
11.
与硅(Si)相比，宽禁带半导体通常具有性能优势，包括：
漂移层更薄
电阻率更低
热导率更高
以上都对
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12.
在相同的测试电路中，SiC二极管与硅器件相比，反向恢复损耗____。
高
低
不变
不一定
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13.
SiC二极管是_____肖特基金属半导体器件，其中只有多数载流子（即电子）才能传输电流，因此，当二极管正向偏压时，结耗尽层存储的电荷可忽略不计。相比之下，P-N结二极管是_____二极管，且会存储在反向偏压期间必须去除的电荷,这会增加功耗损失。
单极性；双极性
双极性；单极性
双极性；双极性
单极性；单极性
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14.
对于高效率和高功率密度的要求，SiC二极管是理想的解决方案。它允许在_____下进行操作。
高电压和低频率
高电流和低频率
高电压和高频率
以上都不对
*
15.
Nexperia的MPS的“薄型SiC”的技术可将衬底厚度减少到最初厚度500um的_____
1/5
1/2
1/3
1/4
*
16.
Nexperia推出的的SiC二极管650V，10A包含以下封装:
TO-220 R2P
表贴DPAKD2PAK R2P
TO-247 R2P
以上都是
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