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安世半导体碳化硅二极管知识点测试

欢迎各位粉丝参与此次答题活动！
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链接：https://pan.baidu.com/s/1Eeaq-Rqt8JjHPy04zBCH_g?pwd=1234
提取码：1234

五道题目完成作答后提交测试，即可获取成绩，得分60分以上即可参与抽奖 。
每人仅有一次提交机会，请先浏览所有参考资料，谨慎作答！

本活动仅限“安世半导体”公众号粉丝参与，非公众号粉丝将不予兑奖，还请持续关注！
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考生信息：
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1.
相对传统的硅基半导体器件，使用小尺寸芯片，SiC在电流和额定电压给定的情况下，器件的电容和电荷会更_____。以及SiC的更高电子饱和速度，比Si基器件的开关速度更_____和损耗更_____。
高；快；低
低；慢；低
低；快；低
低；慢；高
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2.
与硅(Si)相比，宽禁带半导体通常具有性能优势，包括：
漂移层更薄
电阻率更低
热导率更高
以上都对
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3.
Nexperia推出的的SiC二极管650V，10A包含以下封装:
TO-220 R2P
表贴DPAKD2PAK R2P
TO-247 R2P
以上都是
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4.
对于高效率和高功率密度的要求，SiC二极管是理想的解决方案。它允许在_____下进行操作。
高电压和低频率
高电流和低频率
高电压和高频率
以上都不对
*
5.
在相同的测试电路中，SiC二极管与硅器件相比，反向恢复损耗____。
高
低
不变
不一定
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