安世半导体碳化硅二极管知识点测试

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提取码：1234

五道题目完成作答后提交测试，即可获取成绩，得分60分以上即可参与抽奖 。
每人仅有一次提交机会，请先浏览所有参考资料，谨慎作答！

本活动仅限“安世半导体”公众号粉丝参与，非公众号粉丝将不予兑奖，还请持续关注！
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考生信息：
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1.
Nexperia的"薄型SiC"技术将衬底厚度减少到原来的三分之一。因此SiC二极管的热阻___，浪涌电流能力_____，正向压降_____。
升高；升高；降低
升高；降低；升高
降低；升高；升高
降低；升高；降低
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2.
Nexperia的MPS的“薄型SiC”的技术可将衬底厚度减少到最初厚度500um的_____
1/5
1/2
1/3
1/4
*
3.
在相同的测试电路中，SiC二极管与硅器件相比，反向恢复损耗____。
高
低
不变
不一定
*
4.
二极管关断电流和结温对二极管的反向恢复特性造成影响。而SiC二极管在这些参数变化的情况下表现出_____的行为。
非线性
恒定
正温度特性
负温度特性
*
5.
Nexperia的MPS(合并PiN肖特基)结构优化了SiC 二极管的漏电流和抗浪涌特性。因此，在漏电流和漂移层厚度相同的情况下，MPS器件可在______的击穿电压下运行。
更高
更低
固定
不一定
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